我校获得2项美国专利授权
发布时间: 2019-11-15 浏览次数: 10

  近日,我校王永进教授团队的相关研究成果获得2项美国专利授权。

  王永进教授团队长期从事化合物半导体同质集成光电子芯片的研发工作,研究过程中发现了量子阱二极管发光探测共存现象,首次研制出同质集成光电子芯片,实现了基于同质集成光电子芯片的全双工光通信和处理器光互连存储器原型系统,在业界引起广泛关注,National Science Review和Semiconductor Today连续对相关成果作专题报道。

  为了保护研究成果,王永进教授团队积极进行海内外专利布局,于2016年通过PCT(专利合作条约)途径启动了两件境外专利的申请,经过国际阶段、国家阶段,最终获得美国授权。这两项专利的授权进一步加强了我国在同质集成光电子芯片领域的领先地位,有效地保护了该领域自主研发的知识产权。



  附:授权专利名称

  1.悬空LED光波导光电探测器单片集成器件及其制备方法
  DEVICE INTEGRATING SUSPENDED LED, OPTICAL WAVEGUIDE AND PHOTOELECTRIC DETECTOR ON SAME CHIP, AND PREPARATION METHOD THEREFOR
  美国专利号:US 10,386,574 B2
  发明人:王永进;朱桂遐;白丹;袁佳磊;许银

  2.硅衬底悬空LED光波导集成光子器件及其制备方法
  NTEGRATED PHOTONIC DEVICE COMPRISING HOLLOWED SILICON SUBSTRATE-BASED LED AND OPTICAL WAVEGUIDE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
  美国专利号:US 15,984,679 B2
  发明人:王永进;朱桂遐;白丹;袁佳磊;许银;朱洪波